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机译:非对称双栅多晶硅TFT的正反沟道特性
F. V. Farmakisa; D. N. Kouvatsosa; A. T. Voutsasb; D. C. Moschoua; G. P. Kontogiannopoulosa; G. J. Papaioannouc;
机译:具有用于统一RAM(URAM)的双栅极分隔的多晶硅通道TFT —非易失性SONOS闪存和高速无电容器1T-DRAM的统一功能
机译:背栅对p沟道双栅多晶硅TFT的前沟道操作的影响
机译:具有改进的沟道导通机制的新型非对称双栅多晶硅TFT的仿真,可大幅降低截止态漏电流
机译:非对称双栅极多晶硅TFT的前后通道特性
机译:双栅,三层和垂直ZnO TFTS和电路。
机译:通过TFT接触势垒工程技术制造高均匀度多晶硅电路
机译:非对称双栅多晶硅TFT的前后沟道特性
机译:用于改善半导体层性能的多晶硅TFT的结晶方法以及用于平面化结晶硅层的装置
机译:低温多晶硅TFT结构及其通道层的制造方法
机译:薄膜晶体管(TFT),前沟道和后沟道栅极连接在一起
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