Department of Micro- and Nanoelectronics, National Research Nuclear University MEPHI, 115409, Kashirskoe sh., 31, Moscow, Russia;
机译:对称双栅极多晶硅薄膜晶体管的基于物理的紧凑模型
机译:基于渐逝模式的双金属双栅极隧道场效应晶体管的紧凑型建模
机译:适用于适应栅氧化层厚度不对称性的常见双栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管的紧凑噪声建模
机译:基于物理的双栅极石墨烯场效应晶体管操作
机译:基于石墨烯的场效应晶体管的计算建模。
机译:单轴应变对双栅石墨烯纳米带场效应晶体管性能影响的分析模型
机译:单轴应变对双栅石墨烯纳米带场效应晶体管性能影响的分析模型