Central Laboratory of Applied Physics, Bulgarian Academy of Sciences, 59, St. Petersburg Blvd., 4000 Plovdiv, Bulgaria;
机译:两步退火法优化与n-GaN的Ti / Al / Ti-W / Au欧姆接触的表面形态和电性能
机译:n型GaN的热稳定低电阻W / Ti / Au多层欧姆接触的电,结构和表面形态学特性
机译:表面形态对注入铝的4H-SiC上的Al / Ti欧姆接触的电性能的影响
机译:III-V氮化物的MO基欧姆触点Ti和Al含量对Ti和Al含量的依赖性
机译:镍/金和钯/金欧姆接触与清洁的p型氮化镓(0001)表面之间形成的界面的电,化学和结构表征。
机译:AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌
机译:用于AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌
机译:pdGe欧姆接触到n-Gaas的光谱,形态和电学表征