Department of Mechanical Engineering and Applied Mechanics, University of Pennsylvania, 220 S. 33rd St., Philadelphia PA USA 19104;
Surfscan-ADE Division, KLA-Tencor Corp., 1 Technology Milpitas, CA 95035;
Surfscan-ADE Division, KLA-Tencor Corp., 1 Technology Milpitas, CA 95035;
Surfscan-ADE Division, KLA-Tencor Corp., 1 Technology Milpitas, CA 95035;
Overlay; wafer geometry; wafer shape; residual stress; thin films;
机译:工艺引起的晶圆几何形状变化在先进半导体制造中的作用
机译:基于测量的GIS中误差分析的通用框架,第3部分:交集和覆盖物中的误差分析
机译:基于测量的GIS中误差分析的通用框架,第3部分:交集和覆盖物中的误差分析
机译:图案化晶圆几何(PWG)度量用于改善工艺引起的重叠和聚焦问题
机译:预测由于光学和EUV光刻制造工艺的相互作用而导致的器件晶圆上的覆盖错误
机译:在Si(001)晶片和Cu覆盖层之间通过混合溅射技术生长的增强的Ti0.84Ta0.16N扩散阻挡层无需基板加热即可生长
机译:硅晶片晶圆几何形状的表征,硅晶片与非均匀应力