机译:通过在N / sub 2 / O中快速热氧化制备的具有氧氮化物栅极电介质的亚微米nMOSFET的电学和可靠性特征
机译:通过LPCVD SiO / sub 2 /薄膜的快速热处理制备的氮氧化物栅极电介质的电学特性
机译:通过在N / sub 2 / O中快速热氧化制备的具有氧氮化物栅极电介质的亚微米nMOSFET的改进的可靠性特性
机译:在N / sub 2 / O中通过快速热处理制备的超薄氮氧化物栅极电介质的电学和可靠性特征
机译:具有通过RPECVD制备的堆叠氧化物/氮化物和氮氧化物栅极电介质的CMOS器件的故障和可靠性。
机译:超薄Hf-Ti-O高k栅介电薄膜的电学特性及其在ETSOI MOSFET中的应用
机译:使用快速热处理在一氧化氮环境中制备的亚5纳米氧氮化物电介质的电性能