Kyma Technologies Inc., 8829 Midway West Road, Raleigh NC 27617, USA;
Department of Physics, University of York, YO10 5DD, United Kingdom;
Laboratory of Physics, Helsinki University of Technology, FI-02015 TKK, Espoo, Finland;
Tascon GmbH, D-48148, Munster,;
bulk GaN; nonpolar orientations; vacancies; impurities; dislocations; stacking faults; emission properties;
机译:沿非极性(1120)方向在块状GaN衬底上生长的GaN / AlGaN同质外延量子阱中的自由和束缚激子
机译:在氢化物气相外延生长的低缺陷密度极性和非极性独立式GaN衬底上的时间分辨光致发光,正电子ni灭和Al0.23Ga0.77N / GaN异质结构生长研究
机译:在氢化物气相外延生长的低缺陷密度极性和非极性独立式GaN衬底上的时间分辨光致发光,正电子ni灭和Al_0.23Ga_0.77N / GaN异质结构生长研究
机译:在极性和非极化方向生长的散装GaN中的缺陷和排放分布:比较分析
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:在图案化非极性GaN上生长的InGaN的单片多色发射
机译:在块状GaN上生长的非极性(Al,Ga)N / GaN量子阱中的热载流子发射和非辐射复合。