Iron; Fluctuations; Grain size; Standards; Field effect transistors; Hafnium compounds; Mathematical model;
机译:具有铁电HfO_2的双栅负电容FET在栅堆叠上的可扩展性,可实现低于0.2 V的节能运行
机译:考虑量子电容考虑量子电容的InGaAs负电容双栅鳍片反转电荷特性和反转电荷损耗的研究
机译:基于单层MOS2考虑接触电阻的双栅极铁电FET研究
机译:考虑位置和数量波动的双栅极负电容FET的铁电粒度研究
机译:颗粒材料中的状态变量:体积和应力波动的研究。
机译:Pt / CaxSr1-xBi2Ta2O9 / Hf-Al-O / Si高性能铁电门场效应晶体管中铁电晶粒尺寸和取向的研究
机译:使用抗铁电/铁电堆负电容FINFET的开启状态性能的S曲线工程