Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC) and the Department of Electrical and Computer Engineering Seoul National University Seoul 08826 South Korea;
Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC) and the Department of Electrical and;
Switches; Current measurement; Resistance; Equivalent circuits; Electrical resistance measurement; Voltage measurement; Transient analysis;
机译:具有钛膜的基于HfO_x的电阻式随机存取存储器的开关均匀性的改善以及钛对电阻开关行为的影响
机译:基于氧化物的电阻开关存储器(RRAM)中电流过冲的分析模型
机译:通过抑制非晶碳基电化学金属化存储器中的过冲电流,热辅助电铸能够改善。
机译:基于SIN_X的电阻开关存储器的均匀性通过抑制内部过冲电流
机译:基于开关过程的建模控制非易失性铪 - 氧化物电阻开关存储器的变异性
机译:多功能隧道势垒内部电阻器用于电阻式随机存取存储器中的选择性和开关均匀性
机译:基于氧化物的电阻开关存储器(RRAM)中电流过冲的分析模型