机译:基于氧化物的电阻开关存储器(RRAM)中电流过冲的分析模型
Dipartimento di Elettronica, Informazione e Bioingegneria, Politecnico di Milano, Italian Universities Nanoelectronics Team, Milan, Italy;
Dipartimento di Elettronica, Informazione e Bioingegneria, Politecnico di Milano, Italian Universities Nanoelectronics Team, Milan, Italy;
Dipartimento di Elettronica, Informazione e Bioingegneria, Politecnico di Milano, Italian Universities Nanoelectronics Team, Milano, Italy;
Dipartimento di Elettronica, Informazione e Bioingegneria, Politecnico di Milano, Italian Universities Nanoelectronics Team, Milan, Italy;
Dipartimento di Elettronica, Informazione e Bioingegneria, Politecnico di Milano, Italian Universities Nanoelectronics Team, Milan, Italy;
Resistance; Switches; Integrated circuit modeling; Analytical models; Parasitic capacitance; Transistors;
机译:基于氧化物的双极电阻式存储器和互补电阻开关的分析模型
机译:基于氧化物的电阻式随机存取存储器件的电阻转换的简化模型
机译:通过电流限制友好组合框架电阻切换内存中的分析模型电导
机译:氧化学势分布的优化,用于基于氧化物的RRAM中的快速低电流(<10?A)电阻切换
机译:电阻切换随机存取存储器(RRAM):对实际应用的分析,建模和表征
机译:电阻性随机存取存储器(RRAM):材料交换机制性能多层单元(mlc)存储建模和应用概述
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