机译:在湿法蚀刻/ DRIE和表面活性剂改性的TMAH蚀刻中具有不同长宽比的尖锐硅尖端
机译:使用局部阳极氧化和各向异性TMAH湿法蚀刻来控制硅电极的形状和间隙宽度
机译:通过聚焦离子束注入和TMAH湿法刻蚀制备硅纳米结构
机译:TMAH湿法刻蚀硅微米级和纳米级鳍片,以选择性制造氮化铝半导体的侧壁
机译:将选择性硅外延与薄的侧壁隔离层集成在一起,用于亚微米级的高源/漏MOSFET。
机译:揭示侧壁取向在GaN基紫外发光二极管的湿法化学蚀刻中的作用
机译:TMAH溶液在硅上致摩擦诱导的选择性蚀刻