机译:超薄(50 nm),完全耗尽的深亚微米NMOS和PMOSFET / SIMOX的前后界面中的热载流子注入氧化物区域及其热载流子抗扰性
机译:深亚微米N和P沟道SOI MOSFET中的热载流子效应和可靠的寿命预测
机译:深入研究深亚微米N和P沟道部分和完全耗尽的单键和SIMOX MOSFET中热载流子注入引起的退化
机译:减少深亚微米MOSFET中热载流子产生的新结构方法
机译:SLAPSHOT:一种面向工程的蒙特卡洛工具,用于在深亚微米MOSFET中进行热载流子研究。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:作者:张莹莹,王汝传,闫澍旺,电力电子技术pOWER ELECTRONICs深亚微米mOsFET中忽略载流子隧穿对静电势的影响