机译:用不同GaN沟道层厚度对增强型AlGaN / GaN / AlGaN / AlGan双异质结构HEMT的影响
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN双异质结构抑制增强模式基于GaN的HEMT中的电流崩塌
机译:低开启电压AlGaN / GaN横向场效应整流器与P-GaN门HEMT技术兼容
机译:单(AlGaN / GaN)和双(AlGaN / GaN / AlGaN)异质增强模式Hemts的研究
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:薄Algan屏障PT-AlGaN / GaN HEMT气体传感器的响应增强在高温下源连接栅极配置
机译:具有InGaN陷波的alGaN / GaN / InGaN / GaN DH-HEmT用于增强载流子限制
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。