アモルファス酸化物半導体メモリスタの特性測定自動化とその効果

机译：非晶氧化物半导体存储器主体的特征测量自动化及其效果

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我々は,Ga-Sn-O(GTO)薄膜を用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)についての研究を行っている.今回は内臓プログラムを用いて半導体パラメータアナライザーによる測定方法を確立し，アモルファス酸化物半導体メモリスタの特性測定の自動化による測定効率の上昇と結果の精度向上方法の検討を行った.本方法により100回以上の連続測定•保存や1サイクルごとに印加電圧を変化させての測定など，より実践的かつ自由な測定を可能にした.

机译：我们正在使用GA-SN-O（GTO）薄膜进行电阻变化型存储器（RERAM）的研究。这次，通过使用内脏程序和无定形氧化物来建立半导体参数分析仪的测量方法，我们通过特征自动化来研究测量效率测量半导体记忆器并提高结果的准确性。通过此方法超过100个连续测量。•每一个循环保存并改变施加的电压等。更实用和免费测量。

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来源
《情報ディスプレイ研究会;シリコン材料·デバイス研究会;電子ディスプレイ研究会》|2020年|1-4|共4页
会议地点
作者
角田涼; 倉﨑彩太; 牧岡大輔; 木村睦;
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作者单位

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关键词
アモルファス酸化物半導体; メモリスタ; 特性測定自動化;

机译：非晶氧化物半导体;记忆器;特征测量自动化;

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