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時間分解発光測定による極性/半極性InGaN/GaN量子井戸における表面プラズモン共鳴による発光増強機構の解明

机译:通过时间升温光测量通过表面等离子体共振释放发光增强机制

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摘要

InGaN/GaN 量子井戸の発光機構は,量子閉じ込めシュタルク効果(QCSE)が大きく影響し,青から緑の発光波長において,発光効率が著しく低下する.我々は,極性面/半極性面GaN上に成長させたInGaN/GaN量子井戸の青色発光の表面プラズモン(SP)共鳴による高効率化に成功した[1].SP共鳴による発光増強機構を更に詳細に解明するため,今回は Ag または Al被覆試料を用いて時間分解発光寿命測定を行ったので報告する.
机译:InGaN / GaN量子的发光机构很好地影响量子限制止动效应(QCSE),并且在从蓝色到绿色发射波长的绿色发射波长下显着降低了发光效率。 我们成功地高效地在极面/半极性表面GaN上生长的Ingan / GaN量子孔的蓝色发光,高效[1]。 为了通过SP共振来阐明发光增强机制,此时,据报道,由于它已经使用Ag或Al涂层样品测量了延时发射寿命。

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