極性/半極性InGaN/GaN量子井戸におけるアルミニウム薄膜を用いた表面プラズモン共鳴による発光増強

机译：用铝薄膜在极/半极性Ingan / GaN量子中的铝薄膜通过表面等离子体共振提高

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InGaN/GaN量子井戸は，量子閉じ込めシュタルク効果(QCSE)により緑色の発光波長において発光効率が著しく低下する．QCSEはGaNの半極性面上に成長させた半極性InGaN/GaNにおいて低減できるが，我々はさらにAg薄膜を蒸着して表面プラズモン(SP)共鳴を用いることで，極性面試料以上の発光増強が得られることを見出した[1]．今回はAl薄膜による発光増強を試み，Ag薄膜との比較，時間分解発光寿命測定によって発光機構を解析した．

机译：通过量子限制止动效果（QCSE），IngaN / GaN量子良好地显着降低了绿色发射波长的发光效率。虽然QCSE可以在GaN的半极性表面生长的Semipolar Ingan / GaN中，但我们通过使用进一步沉积Ag薄膜通过使用表面等离子体（SP）共振来进一步增强极面样品的发光。它已被发现它是获得的[1]。这一次，尝试了Al薄膜的发光增强，并通过与Ag薄膜进行分析，并测量时间溶液发射寿命的发光机构。

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来源
《応用物理学会春季学術講演会;応用物理学会》||13.038-13.038|共1页
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作者
河合奏太; 池田健人; 亀谷純; 松山哲也; 和田健司; 岡田成仁; 只友一行; 岡本晃一;
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