Bi 誘起層交換法によるSn 添加n 型Ge の低温形成

摘要

高性能薄膜デバイスの創出を目指し、触媒(Au, Al等)を用いたGeの層交換成長[1]が検討されているが、多くの場合、成長層はp 型伝導を示す。我々はⅤ族元素Bi を用いた層交換成長を検討し、a-Ge(100nm) /Bi(100nm)の積層試料を300°Cで熱処理し、上層へ移動したBi をエッチングで除去することでn 型Ge の形成を実現した[2,3]。今回、成長温度低化とBi 層のエッチング不要化を目指し、Ge へのSn 添加とBi 層の薄化を検討したので報告する。