界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge（111）／絶縁膜の低温成長－界面酸化膜厚依存性

摘要

フレキシブルな高速薄膜トランジスタの実現には，高キャリヤ移動度を有する半導体（Ge）薄膜をプラスチィックなどの絶縁基板上に高品位形成する必要がある．そこで本論文では，絶縁基板上における結晶方位制御された大粒径Ge薄膜の低温成長（≦350℃）を目指し，非晶質Ge/Au／絶縁膜の積層構造を用いたAn誘起層交換成長における界面酸化膜の挿入効果を検討した．その結果，界面酸化膜（膜厚：～3nm）の挿入により，（111）配向した大粒径（20～50μm）Ge結晶を実現した．この現象は，界面酸化膜挿入によりGe/Anの相互拡散が抑制されたため，Au膜中でのランダムなバルク核発生が低減し，絶縁膜表面におけるGe（111）核の発生が支配的になったことに起因すると考えられる．