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【24h】

Fabrication and Uniformity Forward Voltage of GaN-based Micro-LED displays

机译:GaN基微LED显示器的制造和均匀性正向电压

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摘要

Fabrication of GaN-based micro-LED display with 64 × 32 pixels weas developed in thisstudy. The variation of forward voltages were 1.07 % in the row pixels, series resistance wasinhibited by ring-shape metal. The output power of blue micro-LED display was obtainedwith 847 μW at direct current(DC) 3mA and brightness achieve to 430 nit by PWM source.
机译:用64×32像素持续开发的GaN基微LED显示器的制造 学习。 行像素的正向电压的变化为1.07%,串联电阻是 由环形金属抑制。 获得了蓝微LED显示屏的输出功率 直流(直流)的847μW,3mA和亮度通过PWM源实现430升。

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