Logic gates; MOSFET; Leakage currents; Silicon carbide; Temperature measurement; Thermal stability;
机译:厚底氧化物的4H-SiC V槽沟槽MOSFET的栅极氧化物可靠性
机译:具有埋入p〜+区域的4H-SiC V槽沟槽MOSFET
机译:具有埋入p +区域的4H-SiC V槽沟槽MOSFET
机译:不同应力条件下4H-SiC V槽沟槽MOSFET的栅极氧化物可靠性
机译:4H-SIC沟槽MOSFET:实用的表面沟道迁移率提取
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸用于改善开关特性
机译:V-沟槽沟槽栅极SiC MOSFET,具有双重减小的表面场结终端延伸部结构
机译:具有高迁移率的常闭4H-siC沟槽栅极mOsFET(预印刷)