首页> 外文会议>応用物ç†å­¦ä¼šå­¦è¡“講演会;応用物ç†å­¦ä¼š >Deposition Condition for High Crystalline Fraction of Yttria-Stabilized Zirconia (YSZ) Films Deposited by Reactive Sputtering at Room Temperature
【24h】

Deposition Condition for High Crystalline Fraction of Yttria-Stabilized Zirconia (YSZ) Films Deposited by Reactive Sputtering at Room Temperature

机译:通过反应溅射在室温下沉积的亚钇稳定氧化锆(YSZ)膜的高结晶馏分的沉积条件

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摘要

It was found that the target surface condition is very important in controlling O- ions formation during the sputtering in order to deposit highly crystallized YSZ films. In the presentation, investigation results about other deposition conditions will be shown and discussed for higher Xc of YSZ film.
机译:发现目标表面条件在溅射期间控制形成的OIONS形成是非常重要的,以便沉积高度结晶的YSZ薄膜。在介绍中,将显示关于其他沉积条件的调查结果,并讨论了YSZ薄膜的高XC。

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