カーボンナノチューブのコラニュレン存在下n 型ドーピングによる熱電特性変化

摘要

単層カーボンナノチューブ (SWCNT) は熱電材料として注目されており、ベンゾクラウンエーテルカリウム錯体をドープすると電荷非局在化やπ-π 相互作用の寄与により安定なn 型材料となることが最近報告されている。一方、曲面状π化合物コラニュレンはπ-π/CH-π や電荷移動相互作用において平面状π化合物とは異なる性質を示す。そこで本研究では、曲面状π化合物によるn 型材料の熱電特性を検討するために、コラニュレン存在下でSWCNT 膜をn 型ドーピングし、物性評価を行った。