光MOD法によるGd_3Ga_5O_(12)基板上へのBi,Ga:Nd_3Fe_5O_(12)エピタキシャル膜の作製

摘要

Bi置換希土類鉄ガーネットは優れた磁気光学効果を示すため、磁場分布を可視化するイメージングプレートに利用されている。Bi置換磁性ガーネット薄膜を作製する手法として、液相ェピタキシャル（LPE)法やイオンビームスパッタリング法、ゾルゲル法、有機金属分解(MOD)法などが挙げられるが、我々はこれまで均一で良質な膜が作製できるMOD法を採用してきた。MOD法は、組成比を調整した有機金属酸塩を有機溶媒に溶かしたMOD溶液の基板上への塗布、乾燥、仮焼成、本焼成の工程からなる。目的の結晶相の結晶化は、最終工程の本焼成によつて行われる。我々は、これまでに、髙濃度Bi置換磁性ガーネット薄膜をGd_3Ga_5O_(12) (GGG)単結晶基板およびガラス基板に成膜することに成功している。そして、作製した高濃度Bi置換磁性ガーネット薄膜を用いた磁気光学(MO)イメージング技術についても報告している。