SiC デバイスのパルスパワースイッチング回路への適用研究

摘要

本研究では，初段パルスの電圧を大きくすることを目的に，AIST で開発された耐圧3.3kV のSiC-MOSFET を半導体スイッチとしてパルスパワー発生装置に適用し，その試験を行った。その試験内容と結果を以下にまとめる。