首页> 外文会议>日本セラミックス協会秋季シンポジウム >浮遊帯溶融法によるYbドープK2NiF4型およびメリライト型酸化物単結晶の育成
【24h】

浮遊帯溶融法によるYbドープK2NiF4型およびメリライト型酸化物単結晶の育成

机译:浮动带电方法开发YB掺杂的K2NIF4型和Merritic氧化物单晶

获取原文

摘要

超短パルスレーザーは精密微細加工,医療,計測等へ応用されており,さらなる高強度化による応用分野の 拡大が期待されている.現行材料であるチタンサファイアは,蛍光寿命が約3 ?s と短いため,高強度化の限 界が見え始めている.これに対して,Yb~(3+)を活性イオンとした固体レーザーは,蛍光寿命がms のオーダーで あるため,次世代の高強度パルスレーザーとして期待されており,様々なホストへの添加が試みられてきた.
机译:超短脉冲激光器适用于精密微制造,医疗,测量等,并预期膨胀应用。由于钛蓝宝石是目前的材料,荧光寿命短至约3?S,因此高强度的极限开始。另一方面,预期用Yb至(3+)的固体激光器作为活性离子作为下一代高强度脉冲激光,因为荧光寿命是MS的顺序,因此预计它是下一代高强度脉冲激光器并添加到我已经尝试的各种主机中。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号