アルミニウム及びガリウムをドープした二次元シリコンの合成と 導電特性

摘要

結晶状のシリコン（Si）骨格から形成される二次元 Si 材料は，その構造に 起因した特異な物性が期待されるため，新たな半導体材料として注目されている．本 研究では Si骨格にアルミニウム（Al）やガリウム（Ga）をドープした二次元 Si材料 （SiXNS, X=Al, Ga）を合成し，その導電特性を明らかにした．