ゥエツトエッチングによる歪みGeマイクロブリッジの作製

摘要

Si上モノリシック光電子集積回路（OEIC)実現のために、Geが注目されている。Si基板上に成長させたGe(Ge-on-Si)は、熱膨張率差によってGe層内に引っ張り歪みが導入され、疑似的に直接遷移型半導体に近づくことで 発光効率が増大する。さらに、Ge層を浮遊させたマイクロプリッジ構造にすることで、より高い引っ張り歪みの 導入が可能である。本研究では、簡便な選択ウエットエッチングにより、歪みGeマイクロブリッジ構造を作 製し、歪み状態、発光特性の評価を行った。