ニッケル分散アルミナ基板を用いた酸化ガリウムからの窒化ガリウムナノワイヤー作製

摘要

窒化ガリウム (GaN) は広いバンドギャップ (3.4 eV) を持つため，白色 LED やパワーデバイスに適した材 料である．GaN ナノワイヤーはナノデバイスの構成要素や量子サイズ効果を持つ材料として期待され多くの 研究がなされている 1) ． GaN ナノワイヤーの多くは有機金属気相成長 (MOCVD) 法やハイドライド気相成 長 (HVPE) 法によって作製されており，これらの作製法は高純度な生成物を得ることができるが，原料が高 価で取り扱いが難しいなどの問題点がある．本研究では取り扱いが容 易な酸化ガリウム (β-Ga2O3) を原料とし，腐食性が低い低 NH3分圧環 境下でニッケル (Ni) が約 5vol%分散したアルミナ (α-Al2O3) (Ni/Al2O3) 複合体基板 2) 上に GaN ナノワイヤーの作製を行った．