ナノドメインエンジニアリングによる DC-バイアスフリー誘電材料の作製と誘電特性

摘要

現在、様々な電子部品に積層セラミックコンデンサー(MLCC)が用いられているが、この MLCC には静電容 量が電場に依存するという問題がある。これは MLCC の誘電体層に用いられるチタン酸バリウムが強誘電体 であり、比誘電率が電場に依存することに起因している。一方、比誘電率の電場依存性がない常誘電体は、 比誘電率が低いという問題がある。そこで比誘電率の電場依存性がなく、かつ高い比誘電率を有する新材料 を開発するため、我々はナノドメインに着目した。ナノドメインとは、リラクサーと強誘電体の中間の組成 領域で形成される、ナノサイズのドメインである。