(P62-P0086)Au 層を成膜した加熱基板へのGe スパッタリングによる薄膜の結晶化

摘要

半導体薄膜の結晶化において、金属を触媒として用いるMIC(Metal-Induced Crystallization)法を利用した研究が盛hに行われている。MIC 法は金属触媒層と半導体薄膜層を層交換させることにより多結晶化を促す方法であり、従来の方法より低温で結晶化させることが出来るため低融点基板を用いた半導体の作製などへの応用が期待されるが、成膜後にアニール炉にて加熱処理をする必要性があることから薄膜の作製に時間を要する。本実験で用いたSC(Surfactant-Crystallization)法(Fig.1)は基板を加熱しながら成膜することによりMIC 法と比べて工程の短縮化および基板に薄膜がスパッタされることによる層交換の促進などの利点があると期待される。本研究では、Au を触媒としたSC 法を用いることによって高品質なGe 結晶の作製を試みたので報告する。