バイポーラPBII法によるマイクロ·ナノスケールトレンチパターンへの三次元DLCコーティング

摘要

電子線描画装置を用いてナノ·マイクロシリコントレンチパターンを作成し，バイポーラPBII&D法を用いてDLC膜の三次元成膜を行った．得られた主な結果を以下に述べる．(1)マイクロ·ナノスケールのトレンチ構造物への3次元成膜においては，特に側面にできる膜が平面成膜したものと比べ，膜厚·膜質が大きく異なっていることがわかった．(2)側面の膜厚に関しては，試料に印加する負のバイアス電圧を抑えることで側面へ入射するイオンが増加し，全体の均一性が改善されるという結果を得た．(3)側面の膜質に関しては，他の面と比較して，高負電圧で成膜した場合はグラファイト化の方向に結晶性が増加する．低負電圧で成膜した場合は，ポリマー化の方向に結晶性が増加する，という異なった傾向が見られた．また，この傾向は原料ガスに関わらず表れた．