Indiumphosphid-Resonante Tunneldioden fur THz-Anwendungen

摘要

Fur entstehende mm-Wellen- und THz-Anwendungen bei Frequenzen um und uber 300 GHz werden elektronische Sender mit hoher Ausgangsleistung bei gleichzeitig hoher Effizienz benotigt. Die Verwendung dieser Frequenzbander fur Kommunikations- und Radaranwendungen, sowie zur Materialerkennung wird derzeit intensiv erforscht. Resonante Tunneldioden im Indiumphosphid (InP)-Materialsystem, die als selbstresonante Fundamentaloszillatoren arbeiten, besitzen ein hohes Potential zur Leistungserzeugung und Signaldetektion bei Frequenzen um 1 THz und daruber hinaus.