Fur den Einsatz von MEMS-Schaltern in Leistungsanwendungen ist es erforderlich eine matrixartige Verschaltung vieler einzelner MEMS-Schalteinheiten zu realisieren. Um eine gleichbleibende Performanz der einzelnen Schalter, die das Array darstellen, zu gewahrleisten, werden hochste Anforderungen an den Herstellungsprozess gestellt. Wir prasentieren das Design und die Herstellung eines MEMS-Schalters auf Basis einer Silicon-on-Insulator (SOI)-Fertigungstechnologie. Die Messergebnisse zeigen eine hohe Ubereinstimmung mit den Simulationen, was die Vorhersagbarkeit und damit die Homogenitat von SOI-basierten MEMS-Schalter bestatigt.
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