Beim Fan-Out Wafer- und Fan-Out Panel-Level Packaging (FOWLP/FOPLP) zur Heterogensystemintegration mikro-elektronischer Baugruppen werden elektrische Umverdrahtungslagen (Redistribution Layers, RDLs) zur elektrischen Verbindung zwischen den Komponenten benotigt. Diese werden meist mittels einer Kombination von Photolithographie und nasschemischen Methoden erzeugt. Der Einsatz additiver Fertigungstechnologien (z.B. Drucken funktionaler Materialien im Inkjet-Verfahren) erfahrt hierbei in der letzten Zeit mehr Beachtung. Dabei wird - im Gegensatz zu subtraktiven Methoden, wie die der Photolithographie - nur dort Material aufgebracht, wo es benotigt wird. Weiterhin bringen flachige Umverdrahtungslagen durch die grossen Unterschiede der thermischen Ausdehnungskoeffizienten (coefficient of thermal expansion, CTE) Stress in das Package, welcher sich dann in Form von Verbiegung und letztendlich verkurzter Lebensdauer auBert. Fur MEMS mit sensiblen Membranen ist dieser Ansatz, besonders im Kontext von FOWLP-Fertigungsprozessen, vielversprechend, da hierbei der eventuelle Einsatz von temporaren Opferschichten vermieden werden kann und durch eine vereinfachte Prozesskette, sowie geringeren Materialverbrauch, Zeit und Kosten eingespart werden konnen. Der Prozessfluss wird am Beispiel von Drucksensoren bzw. Mikrophonen demonstriert, es wird auf potenziell kritische Stellen eingegangen. Ein Schwerpunkt hierbei ist die Oberflachenstruktur der zu bedruckenden Oberflache, welche Einfluss auf die minimale Strukturbreite der gedruckten Leiterbahnen hat. Weiterhin werden Stufen zwischen Chips und Substratoberflache diskutiert.
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