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半導体の線幅標準に関する研究(第8報)‐金属コーティング法における不確かさの検討

机译:半导体线宽标准的研究。金属涂层法不确定性研究。

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摘要

半導体メーカーにとって,製品の加工工程における計測と評価は重要であり,回路線幅は基本的な計測対象である.今日,半導体産業では半導体素子の微細化が進hでいるが,標準となる線幅の測定方法は確立されていない.現在使用されている測定法として, CD-SEM (Critical Dimension Scanning Electron Microscopes),AFM(Atomic Force Microscope) などがあげられる.これらの装置による測定値は,同一の測定値に関しては比較が可能であるが,他の測定器による測定値との互換性がない.本研究は,線幅の境界を高倍率で撮影可能であるSTEM (Scanning Transmission Electron Microscopes) を用いて,線幅の標準となる測定方法を確立し,他の測定器の校正を目的としている.前報では,金属コーティングを施したSi 画像を撮影することで,新たな境界決定法を提案した.本報では,金属コーティング法による線幅測定の不確かさについて検討する.
机译:对于半导体制造商,加工产品过程中的测量和评估很重要,电路线宽是基本测量目标。如今,在半导体行业中,半导体器件的小型化是逐渐的H,但没有建立标准的测量线宽的方法。临界尺寸扫描电子显微镜),AFM(原子力显微镜)等被提及为当前使用的测量方法。这些设备的测量可以与相同的测量值进行比较,但与其他仪器的测量不兼容。该研究用于建立一种测量方法,该方法是线宽的标准,建立了一种测量方法,该测量方法是使用阀杆(扫描透射电子显微镜)的线宽边界标准的测量方法,这是高放大边界。在前一份报告中,通过涂覆金属涂层Si图像提出了一种新的边界测定方法。在本报告中,我们将通过金属涂层方法检查线宽测量的不确定性。

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