スクリーン印刷法により形成した圧電体厚膜のマイクロアクチュエータ応用

摘要

Pb(Zr,Ti)O_3-PbZn_(1/3)Nb_(2/3)O_3(PZT-PZN)系圧電体厚膜は、スクリーン印刷により、酸化物ハッフア層（反応抑止層）を設けたSi 基板上に成膜でき、かつ、100pm/Vを超える圧電定数d_31を呈することを特徴とする。Si微細加工とスクリーン印刷の組合せにより、圧電体厚膜を形成する技法は、低電力駆動で発生力の大きい平面型のマイクロアクチュエータを形成できるなど、MEMSへ展開するために不可欠な要素になると考える。本報告では、新しい技法を用いて、ダイヤフラム構造の平面型マイクロアクチュエータの作製と評価を試みたので報告する。