低温成膜手法により作製した BaHfO_3 添加 SmBa_2Cu_3O_y 薄膜線材の低温強磁場中磁束ピンニング特性

摘要

高温超伝導 REBa_2Cu_3O_(7-δ)（REBCO、REY または希土類）線材は、低温超伝導線材に比べて強磁場中特性が優れることから、超伝導マグネット応用が期待されている。近年、人工ピンとして BaMO_3（BMO，M=Zr，Sn，Hfなど）ナノロッドを成膜時の自己組織化により導入することで、強磁場中でのピン止め力をさらに増強する手法の開発が精力的に行われている。特に、低温成膜（LTG）法によって細く短い BMO ナノロッドを高密度に導入することが可能となった［1］。また、LTG 法によって作製した BaHfO_3（BHO）ナノロッド添加 SmBCO 薄膜での低温での巨視的ピン力密度 F_p ま、1.6TN／m~3 程度と、従来報告されている中で非常に高い。しかし、LTG 試料における低温域での F_p は 17.5T 以下で未だ飽和しておらず、磁束ピンニング特性について議論するためには、より広い磁場·温度·磁場印加角度に対して輸送測定を行う必要がある。そこで本研究では、LTG 試料における低温域の強磁場中磁束ピンニング特性を理解するため、東北大学において新規に開発した強磁場超伝導マグネットを用いて輸送測定を行った。