4H-SiC; Power device; Termination; JTE;
机译:为开发2000 V平面4H-SiC二极管而优化了结终端扩展
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机译:4500V 4H-SiC器件的近乎理想的边缘端接技术:混合结端接扩展
机译:开发> 10KV 4H-SIC SBD结延伸终端
机译:结局终端结构的二维器件模拟确定击穿行为的确定
机译:尾坝开发在终止体轴延伸前的视黄酸信号的解耦
机译:4H-siC浮动结sBD(FJ_sBD)的制作