机译:勘误表:GaN高电子迁移率晶体管在大信号射频操作下的热电子生成(Applied Physics Letters(2017)111(013506)DOI:10.1063 / 1.4991665)
机译:电气性能降低和基于物理学机制在P-GaN栅极高电子迁移率晶体管的负偏置温度不稳定性应力下
机译:AlGaN / GaN纳米线沟道高电子迁移率晶体管基于物理的阈值电压模型
机译:太赫兹应用的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的基于物理的器件建模
机译:通过基于Monte Carlo粒子的器件仿真对GaN高电子迁移率晶体管和热电子晶体管进行建模和设计。
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:GaN高电子迁移率晶体管中的电劣化物理学
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。