FET; pHEMT; field plate; off-state breakdown;
机译:钝化AlGaAs / InGaAs PHEMT中的可逆关断击穿
机译:采用场板技术的高击穿电压(Al {sub} 0.3Ga {sub} 0.7){sub} 0.5PIn {sub} 0.5P / InGaAs准增强模式pHEMT
机译:碲掺杂的高击穿AlGaAs / InGaAs / GaAs PHEMT
机译:Algaas / Ingaas Field Platts的状态分解行为
机译:AlGaAs / InGaAs伪晶高电子迁移率晶体管的击穿行为和优化。
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:高功率微波辐射下Algaas / IngaAs PhEMT非线性反应机制