Analyse arbeitspunktabhangiger Degradierung bei MOS-Transistoren durch NBTI und HCI

摘要

Degradierungseffekte wie NBTI und HCI fuhren zu Anderungen der charakteristischen Eigenschaften von MOS-Transistoren. Es ist daher notwendig, die Auswirkungen der Degradierungen auf Schaltungseigenschaften zu analysieren und zu minimieren. Bestehende Ansatze verwenden meistens Optimierungsalgorithmen oder andere externe Programme und stellen in der Regel keinen Zusammenhang zwischen Schaltungscharakteristik und Degradierung her. Durch Kombination der etablierten gm/Id Entwurfsmethodik und Degradierungssimulationen ist es moglich, Einblicke in die arbeitspunktabhangige Degradierung von MOS-Transistoren zu erhalten und Schaltungs-topologien im Hinblick auf Zuverlassigkeit zu entwerfen und zu optimieren. Diese Arbeit beschreibt eine Analyse, die fur einen Aging-Aware Entwurfsfluss verwendet werden kann.