法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-09
授权
授权
2016-08-10
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20160205
实质审查的生效
2016-08-10
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20160205
实质审查的生效
2016-07-13
公开
公开
2016-07-13
公开
公开
机译: 将漏极-延伸-mos-场效应晶体管的制造方法和漏极-延伸-mos-场效应晶体管以及电子部件的布置与漏极-延伸的-mos场效应晶体管-并联。
机译: 用于制造集成式MOS场效应晶体管的方法,特别是具有互补MOS场效应晶体管的电路,该互补MOS场效应晶体管的附加导体层包括金属硅化物
机译: 用于制造集成式MOS场效应晶体管的方法,特别是具有互补MOS场效应晶体管的电路,该互补MOS场效应晶体管的附加导体层包括金属硅化物