机译:使用硅化and和硅化铂的金属结源极/漏极制造的多晶硅肖特基势垒薄膜晶体管的特性
机译:栅长小于10 nm的硅化n型肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管的特性
机译:沟道长度和宽度为0.1μm的n型肖特基势垒薄膜晶体管的制造以及硅化源极/漏极
机译:硅化Er结晶度对硅化and与n型硅之间低势垒接触的影响
机译:硅化N NMOS作为肖特基势垒CMOS工艺候选者的探索性研究
机译:硅化–一种与硅接触的潜在材料
机译:绝缘体上硅衬底上使用Pt / Er叠层的硅化形成过程的透射电子显微镜表征