Double-barrier resonant tunneling structure; Quantum well; Sequential tunneling; Transmission coefficient;
机译:阶跃量子阱中调制掺杂的Al_xGa_(1-x)As / In_yGa_(1-y)As / Al_xGa_(1-x)中的原子排列,电子参数和电子结构
机译:由于嵌入了深台阶层,增强了调制掺杂的Al_xGa_(1-x)As / In_yGa_(1-y)As / GaAs量子阱中活化能的增强
机译:异质结构设计对Al_xGa_(1-x)N / GaN双势垒谐振隧穿二极管电流-电压特性的影响
机译:GaAs / AL_XGA_(1-x)的模拟为/ in_yga_(1-y)作为双屏障谐振隧道结构
机译:砷化铝镓/砷化镓双势垒结构中的共振隧穿。
机译:Si上基于GaAs的谐振隧穿二极管(RTD)外延用于高度敏感的应变仪应用
机译:AlGaAs / GaAs双势垒共振隧穿结构对性能极限的内在和外在影响
机译:np-(p(+) - n(+)) - n al(y)Ga(1-y)as-Gaas-In(x)Ga(1-x)as量子阱激光器,p(+) - n n + Gaas上的(+)Gaas-InGaas隧道接触