Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD); Substrate temperature; Silicon thin film;
机译:沉积温度对等离子增强化学气相沉积法制备微晶硅薄膜的影响
机译:通过超高频等离子体制备的微晶硅膜增强了低温下的化学气相沉积
机译:在低温下通过等离子体沉积的微晶硅薄膜中的杂相生长增强了化学气相沉积
机译:沉积温度对等离子体增强化学气相沉积制备的微晶硅薄膜的影响
机译:等离子体增强的硅基薄膜材料的化学气相沉积:使用质谱和低温(<600摄氏度)固相结晶的实时过程感测
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:沉积温度对等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜的影响