机译:在低温下通过等离子体沉积的微晶硅薄膜中的杂相生长增强了化学气相沉积
Department of Systems Innovation, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan;
机译:在低基板温度下通过等离子体增强化学气相沉积和热线化学气相沉积沉积的薄膜的机械和压阻特性
机译:衬底对等离子体增强化学气相沉积法沉积微晶硅薄膜生长的影响
机译:低频脉冲衬底偏置的电感耦合等离子体化学气相沉积法沉积微晶硅薄膜的增强形核
机译:等离子体增强化学气相沉积沉积低温p型氢化微晶硅薄膜的表征
机译:等离子体增强了硅薄膜的化学气相沉积:利用等离子体诊断技术表征不同频率和气体成分下的薄膜生长。
机译:N2:(N2 + CH4)比在低温等离子体增强化学气相沉积法生长疏水纳米结构氢化氮化碳薄膜中的作用研究
机译:沉积温度对等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜的影响