holography; transistor; stress; strain; CESL;
机译:应变对应力调制氮化硅膜增强p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电流的影响
机译:PECVD利用膜点载荷挠度表征富硅氮化物和低应力氮化物膜的机械特性
机译:具有使用纳米压印技术制造的周期性鳍状通道的非易失性多晶硅-薄膜晶体管-氧化硅-氮化物-氧化硅-硅存储器
机译:PECVD氮化硅膜在晶体管通道中诱导的菌株的表征
机译:用RBS,ERDA和CARS测定脉冲PECVD氮化硅薄膜中的氢。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:具有氧化物/氮化物/氧化物堆叠栅极电介质和纳米线通道的非易失性多晶硅薄膜晶体管存储器