机译:研究生长速率,错切方向和后生长氩退火对同质外延生长4H碳化硅薄膜表面形态的影响
机译:[1120]和[0001]取向的碳化硅衬底上生长的碳化硅外延膜的多型稳定性和显微结构表征
机译:[$ {hbox {11}} overline {{hbox {2}}} {hbox {0}} $]和[0001]取向的碳化硅衬底上生长的碳化硅外延膜的多型稳定性和显微结构表征
机译:溶剂激光加热浮区生长4H <000-1>碳化硅膜的表征
机译:4H碳化硅外延膜中的薄多型夹杂物以及碳化硅的碳氢振动中心的同位素和非谐效应。
机译:碳化硅基薄膜中的原位生长六角形硅纳米晶体
机译:溶剂激光加热浮动区生长的4H <000-1>碳化硅薄膜的表征