机译:通过在选择性应变的Ge-nMOSFET的湿化学凹陷区域上选择性生长的SiGe应力源在Ge衬底上引入局部拉伸应变
机译:利用电子束蒸发器在硅衬底上异质外延生长的Ge薄膜的可控拉伸应变
机译:(100)/(001)取向外延PbTiO_3薄膜的面内拉伸应变对其相变温度和四方畸变的影响
机译:MOSFET应用的选择性外延Si:P膜:高磷浓度和高拉伸应变
机译:尖晶石镁铝氧化物基底上铁电钙钛矿氧化物薄膜中的拉伸应变效应。
机译:拉伸应变引起的氧缺乏对NdNiO3-δ外延薄膜中金属-绝缘体转变的影响
机译:拉伸应变诱导的氧缺乏对NdNiO3-δ外延薄膜金属绝缘体转变的影响
机译:催化剂的核磁共振研究:钒 - 磷 - 氧选择氧化催化剂中的磷-31和钒-51以及硅铝酸盐中二阶四极相互作用的选择性平均