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公开/公告号CN103348445B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-11-30
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料公司;
申请/专利号CN201180066837.0
发明设计人 叶祉渊;李学斌;乔普拉·索拉布;金以宽;
申请日2011-07-28
分类号H01L21/20(20060101);H01L21/205(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司;
代理人徐金国;赵静
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:48:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-11-30
授权
2014-03-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/20 申请日:20110728
实质审查的生效
2013-10-09
公开
机译: 用于拉伸应变的高拉伸硅合金的外延
机译: 拉伸应变高百分比硅锗合金FinFETS
机译:高拉伸应变的硅碳合金外延生长到NMOS器件的凹陷源漏区中
机译:固相外延法在硅上拉伸应变的GeSn
机译:用于nMOS应用的高拉伸应变原位掺杂磷的硅外延膜
机译:拉伸应变硅层的材料和传输特性
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机译:用于场效应晶体管的低带隙拉伸应变Ge和GeSn合金上的高k栅叠层
机译:开发高拉伸应变塑料粘合TaTB炸药。