University of California Los Angeles;
机译:使用局部接触蚀刻停止层的完全拉伸应变的部分绝缘体上硅n型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:在SiGe(100),(110)和(111)虚拟衬底上生长的拉伸应变Si层的结构特性
机译:在Si_(1-x)Ge_x虚拟衬底上生长的拉伸应变Si层的结构特性(x = 0.2、0.3、0.4和0.5)
机译:蒙特卡罗方法探索新型正交应变硅材料的电子输运性质
机译:单电子量子点应用中的应变硅/松弛硅锗异质结构的电气和材料性能。
机译:Z参数对聚合物纳米复合材料多层界面抗张强度的影响与材料和界面性质的关系
机译:完全拉伸的应变部分硅绝缘体n型 采用局域化的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 接触蚀刻停止层
机译:具有GaInp包层和质量传输埋层异质结构的低阈值InGaas应变层量子阱激光器(λ= 0.98微米)